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GN9060E


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 900V
UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
fT -
TJ -
le GN9060E c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 900V, Ic = 60A, d´application: Niveaux de performance
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Informations plus avancées pour GN9060E
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package:TOP-3L
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
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Liste des type similaires:GT60M102, [plus]
GT60M102,..,GT60M104
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GN9060E


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 900V
UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
fT -
TJ -
le GN9060E c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 900V, Ic = 60A, d´application: Niveaux de performance
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Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package:TOP-3L
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SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 900V
UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
fT -
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le GN9060E c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 900V, Ic = 60A, d´application: Niveaux de performance
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Jaeger electronic catalog 1999
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Hitachi Ltd. Japan
Package:TOP-3L
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.

GT60M102


SI N-IGBT transistor
similar to GN9060E, see note
GFX
UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/800nS
TJ -
le GT60M102 c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 900V, Ic = 60A, d´application: Niveaux de performance
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Type similaire: GT60M102
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:TOP-3L
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GT60M102


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GFX
UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
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UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
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TJ -
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:TOP-3L
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GT60M104


SI N-IGBT transistor
similar to GN9060E, see note
GFX
UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/500nS
TJ 150°C
le GT60M104 c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 900V, Ic = 60A, d´application: Transistor de commutation de puissance
Image: -
Source: Toshiba Databook Power MO...... [plus]
Toshiba Databook Power MOSFETs 1996
Type similaire: GT60M104
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:2-21F2C
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UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/500nS
TJ 150°C
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Toshiba Databook Power MOSFETs 1996
Type similaire: GT60M104
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GT60M104


SI N-IGBT transistor
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GFX
UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/500nS
TJ 150°C
le GT60M104 c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 900V, Ic = 60A, d´application: Transistor de commutation de puissance
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Toshiba Databook Power MOSFETs 1996
Type similaire: GT60M104
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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